Podgląd | "Tranzystor SMD"Pojęcia nadrzędne |
| | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | |
Tranzystor IGBT, 1.2kV, 100A, SOT-227B (3 ofert) Tranzystor IGBT, Typ=IXA70I1200NA, Ciągły prąd kolektora (Ic)=100 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))... |
|
od PLN 118,70* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,0436* za szt. |
| |
Tranzystor IGBT, 1.2kV, 105A, SOT-227B (3 ofert) Tranzystor IGBT, Typ=IXYN82N120C3H1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=105 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat... |
|
od PLN 154,744* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,0763* za szt. |
| |
Tranzystor IGBT, 1.7kV, 80A, SOT-227B (3 ofert) Tranzystor IGBT, Typ=IXYN30N170CV1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=80 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.7 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))... |
|
od PLN 151,385* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,093* za szt. |
| |
|
Infineon BSL215CH6327XTSA1 |
od PLN 0,552* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,41* za szt. |
| |
|
Infineon BSP373NH6327XTSA1 |
od PLN 0,931* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,0883* za szt. |
| |
|
Infineon BSS119NH6327XTSA1 |
od PLN 0,319* za szt. |
| |
|
|
od PLN 0,209* za szt. |
| |
|
Infineon BSS123NH6327XTSA1 |
od PLN 0,13* za szt. |
| |
|
|
od PLN 72,07* za 250 szt. |
| |
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 100V, 6.5A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM950N10CW RPG, Ciągły prąd drenu (Id)=6.5 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie br... |
Taiwan Semiconductor TSM950N10CW RPG |
od PLN 1,41* za szt. |
| |
|