Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > Tranzystor SMD

  Tranzystor SMD  (9 640 ofert spośród 5 020 448 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor SMD“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor SMD"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 3.6A, SOT-23 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=NTR4501NT1G, Ciągły prąd drenu (Id)=3.6 A, Czas narastania=12 ns, Czas opadania=3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=12 ns, Czas opóźnienia włączenia=6.5 ns, Napięcie bramka-źród...
onsemi
NTR4501NT1G
od PLN 0,329*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 94 A PG-TO263-3 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 94 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO263-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005571702
od PLN 4,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 40V; 5,3A; 1,3W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motoryzacyjna Moc roz...
Vishay
SQ4940AEY-T1_GE3
od PLN 2,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 3.7A, SC-59 (3 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=BSR802NL6327HTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=3.7 A, Czas narastania=18 ns, Czas opadania=4.1 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=26 ns, Czas opóźnienia włączenia=9.8 ns, Napięcie bra...
Infineon
BSR802NL6327HTSA1
od PLN 0,541*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 9 A PG-HDSOP-22 600 V SMD, montaż powierzchniowy (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = PG-HDSOP-22 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005559296
od PLN 18,496*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 10A; 1W; DFN2x5; ESD (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN2x5 Struktura półprzewodnika: wspólny dren Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tran...
Alpha & Omega Semiconductor
AON5816
od PLN 1,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 80 A SuperSO8 5 x 6 30 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 80 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na u...
Infineon
BSC0901NSIATMA1
od PLN 3,047*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,7A; 190mW; SC70-6 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SC70-6 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,7A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,19W Polaryzacja: unipolarny Cena jednos...
Alpha & Omega Semiconductor
AO7800
od PLN 0,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 300mA, SOT-23 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP222N0301TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=32 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-...
Torex Semiconductor
XP222N0301TR-G
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET P-kanałowy 96 A PQFN8 30 V SMD 0,0038 oma (1 Oferta) 
Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 96 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = NTTF Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...
onsemi
NTTFS008P03P8Z
od PLN 5,337*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,39A; 0,25W; SOT563; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 0,39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,25W Po...
Diodes
DMN2004VK-7
od PLN 1,72*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 300mA, SOT-323 (1 Oferta) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP222N03013R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=32 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-...
Torex Semiconductor
XP222N03013R-G
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor MOSFET N-kanałowy 98 A PG-TO252-3 80 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 98 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PG-TO252-3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
SP005737449
od PLN 4,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 12V; 10A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 12V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rolka...
Infineon
IRF7910TRPBF
od PLN 7 689,44*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 20V, 300mA, SOT-523 (2 ofert) 
Tranzystor MOSFET, Typ=XP222N03015R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=300 mA, Czas narastania=11 ns, Czas opadania=32 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=45 ns, Czas opóźnienia włączenia=11 ns, Napięcie bramka-...
Torex Semiconductor
XP222N03015R-G
od PLN 0,138*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   643   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.