Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 622 ofert spośród 4 905 434 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -6A; 1,6W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FDS6875
od PLN 2,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -60V; -2,9A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -2,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDS9958
od PLN 1,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-JFET; unipolarny; 0,31W; TO92; 10mA (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE326
od PLN 11,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; 414ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTH10P50P
od PLN 20,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -3,3A; Idm: -15A; 1,8W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,8W Polar...
Diodes
DMP3098LSD-13
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -60V; -3,9A; Idm: -32A; 1,2W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,2W Polar...
Diodes
DMP6050SSD-13
od PLN 1,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET + Schottky; unipolarny; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: P-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana:...
ROHM Semiconductor
QS5U21TR
od PLN 0,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA10P50P
od PLN 15,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -5,7A; 2W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 2W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SI4925BDY-T1-E3
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -80V; -2,1A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -80V Prąd drenu: -2,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 308mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,1W Polaryzacja: unip...
onsemi
FDS8935
od PLN 3,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -0,44A; 0,4W; SOT563 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT563 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -440mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,4W P...
Diodes
DMP2004VK-7
od PLN 0,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -22A; 312W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR40P50P
od PLN 63,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -30V; -7A; 1,3W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: -30V Prąd drenu: -7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1,3W...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4805
od PLN 1,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolarny; -40V; -40A; 58W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3-313 Napięcie dren-źródło: -40V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,6mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana:...
Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2
od PLN 2,148*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET x2; unipolarny; -20V; -1,5A; 0,6W; SOT26 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SOT26 Napięcie dren-źródło: -20V Prąd drenu: -1,5A Typ tranzystora: P-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,6W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ...
Diodes
DMP2240UDM-7
od PLN 0,521*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   371   372   373   374   375   376   377   378   379   380   381   ..   775   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.