Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > Tranzystor polowy

  Tranzystor polowy  (11 563 ofert spośród 5 013 701 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor polowy“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor polowy"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Infineon IPL60R1K5C6S tranzystor 650 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R1K5C6SATMA1
od PLN 1,299*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 34W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Pol...
Infineon
IPA60R125C6XKSA1
od PLN 17,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; 460W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W ...
IXYS
IXTT26N60P
od PLN 25,19*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPZA60R060P7 tranzystor 650 V (2 ofert)
Infineon
IPZA60R060P7XKSA1
od PLN 17,324*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,4A; 30W; TO220FP; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polary...
ST Microelectronics
STP9NK60ZFP
od PLN 3,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 500W; TO220AB; 145ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 155mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500...
IXYS
IXFP30N60X
od PLN 15,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 28A; Idm: 160A; 780W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Polary...
Microchip Technology
APT43F60L
od PLN 53,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 29W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polar...
Infineon
IPA60R060P7
od PLN 22,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQB8N60CTM
od PLN 4,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W ...
IXYS
IXTT30N60P
od PLN 18,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 83mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W P...
Infineon
SPW47N60CFDFKSA1
od PLN 48,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 357W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 64mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG47N60E-GE3
od PLN 22,494*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W P...
Infineon
IPW60R031CFD7
od PLN 35,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W P...
IXYS
IXTQ30N60P
od PLN 23,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polary...
Microchip Technology
APT6021SFLLG
od PLN 81,81*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   251   252   253   254   255   256   257   258   259   260   261   ..   771   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.