Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 > Wyszukiwanie "st"

  st  (72 640 ofert spośród 4 872 893 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „st“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
100%
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 400V; 24A; Idm: 152A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 72mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryz...
ST Microelectronics
STP45N40DM2AG
od PLN 19,26*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 15,5A; 190W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Pola...
ST Microelectronics
STP33N60DM2
od PLN 13,60*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 15A; 259W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Mo...
ST Microelectronics
STGWA15S120DF3
od PLN 15,31*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc...
ST Microelectronics
STGW10M65DF2
od PLN 4,62*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 21A; Idm: 136A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 93mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryz...
ST Microelectronics
STP43N60DM2
od PLN 16,84*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; 6,3A; Idm: 40A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polar...
ST Microelectronics
STP11N60DM2
od PLN 4,32*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 40A; 468W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT M...
ST Microelectronics
STGWA40H120F2
od PLN 34,34*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 650V; 15A; 136W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Moc...
ST Microelectronics
STGP15M65DF2
od PLN 4,74*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 600V; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Rezystancja w stanie przewodzenia: 93mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna Polaryzacja:...
ST Microelectronics
STWA45N60DM2AG
od PLN 23,08*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 40A; 468W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT M...
ST Microelectronics
STGW40H120DF2
od PLN 30,37*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 650V; 20A; 166W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT Moc...
ST Microelectronics
STGP20M65DF2
od PLN 5,42*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 90A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 93mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
ST Microelectronics
STWA35N65DM2
od PLN 16,56*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolarny; 600V; 37A; Idm: 190A (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polaryzac...
ST Microelectronics
STWA67N60DM6
od PLN 24,25*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 50A; 535W; MAX247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: MAX247 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Typ tranzystora: IGBT Mo...
ST Microelectronics
STGYA50H120DF2
od PLN 28,32*
za szt.
 
 szt.
100%
Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 147W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 60A Typ tranzystora: IGBT Moc r...
ST Microelectronics
STGB20H65FB2
od PLN 4,12*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   4321   4322   4323   4324   4325   4326   4327   4328   4329   4330   4331   ..   4843   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.