st microelectronics  (13 793 ofert spośród 4 839 304 artykułów)

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 373 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PowerFLAT 5 x 6 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów na...

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: DFN8 Tolerancja: ±2% Napięcie wyjściowe: 1,2V Prąd wyjściowy: 0,8A Spadek napięcia: 0,15V Typ układu scalonego: sta...

Model STC3115 jest wyposażony w funkcje sprzętowe niezbędne do wdrożenia taniego miernika gazu do monitorowania akumulatora. Moduł STC3115 wykorzystuje pomiar prądu, pomiar Coulomba i dokładne pomi...

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 72 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źró...

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 16 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = SCT Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,52 om...

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...85°C Obudowa: TSSOP8 Napięcie pracy: 2,5...5,5V Typ układu scalonego: pamięć EEPROM Interfejs: I2C Rodzaj pamięci: EEPROM Organiza...

Ten bardzo wysoki, N-kanałowy tranzystor Power MOSFET został zaprojektowany w oparciu o technologię MDmesh K5 opartą na innowacyjnej, zastrzeżonej strukturze pionowej. W rezultacie otrzymujemy rady...

TS556 jest podwójnym zegarem CMOS, który zapewnia bardzo niskie zużycie: (ICC(TYP)TS556 = 220 μA przy VCC = 5 V w porównaniu z Icc(TYP) NE556(a)= 6 mA) i wysokie częstotliwości:(f(maks.TS556)TS556 ...

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 75 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = HU3PAK Typ montażu = Montaż powierzchniowy

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...150°C Obudowa: PowerSSO16 Napięcie zasilania: 5,5...36V Napięcie pracy: 4...28V Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Prąd wyjśc...

Tranzystor MOSFET STMicroelectronics z węglika krzemu został opracowany przy użyciu Advanced i innowacyjnej technologii MOSFET ST drugiej generacji. Urządzenie charakteryzuje się bardzo niską oporn...

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie pracy: 2,5...5,5V Typ układu scalonego: pamięć EEPROM Interfejs: I2C Rodzaj pamięci: EEPROM Organizacja pamięci: 8kx8bit Rodzaj inter...

Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Seria = STN3N Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0...

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: SOT23-5 Tolerancja: 2...3% Napięcie wyjściowe: 1,5V Prąd wyjściowy: 0,15A Spadek napięcia: 0,1V Typ układu scaloneg...

Urządzenie MOSFET z HM-krzemu STMicroelectronics zostało opracowane przy użyciu technologii ST Advanced i innowacyjnej technologii SIC MOSFET drugiej generacji. Urządzenie charakteryzuje się wyjątk...