 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S207K6T3C |
od PLN 11,03*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32L031F6P7 |
od PLN 6,314*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S003F3P6TR |
od PLN 2,305*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 119 A HiP247-4 650 V 0.024 O (2 ofert) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 119 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = SCTWA90N65G2V-4 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
ST Microelectronics SCTWA90N65G2V-4 |
od PLN 117,46*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S208S6T6C |
od PLN 8,80*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET B2 60 V SMD 1 Ω (1 Oferta) The STMicroelectronics RF2L36075CF2 is a 75 W internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base stations and S-Band radar applications in the frequency range from... |
ST Microelectronics RF2L36075CF2 |
PLN 464,776*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8L152C4U6 |
od PLN 6,67*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S208S6T3C |
od PLN 9,87*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32L031G6U6 |
od PLN 5,647*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8L151G4U6 |
od PLN 6,29*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STD16N60M6 |
PLN 4,371*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET B4E 65 V SMD 1 Ω (1 Oferta) Maksymalne napięcie dren-źródło = 65 V Typ opakowania = B4E Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V |
ST Microelectronics RF2L16180CB4 |
PLN 532,719*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S207K8T6C |
od PLN 9,63*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM32L475RGT6 |
od PLN 26,04*
za szt. |
|
100% |
|
|
ST Microelectronics STM8S207S6T6C |
od PLN 7,49*
za szt. |
|
|
