|  | | | | | | | | Fotografia | | | | Zamów | | | 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 11A, SOT-223 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=TSM900N06CW RPG, Ciągły prąd drenu (Id)=11 A, Czas narastania=9.5 ns, Czas opadania=5.3 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=18.4 ns, Czas opóźnienia włączenia=2.9 ns, Napięcie bra... |
Taiwan Semiconductor TSM900N06CW RPG |
od PLN 1,32*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 120A, TO-220AB (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB3306PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=120 A, Czas narastania=76 ns, Czas opadania=77 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=40 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źród... |
|
od PLN 5,34*
za szt. |
| 92% |
|
|
Infineon IPP040N06N3GXKSA1 |
od PLN 3,81*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-23 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N7002TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N7002TR-G |
od PLN 0,66*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-523 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70025R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70025R-G |
od PLN 0,49*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 150mA, SOT-723 (1 Oferta) Tranzystor MOSFET, Typ=XP261N70027R-G, Ciągły prąd drenu (Id)=150 mA, Czas narastania=4 ns, Czas opadania=9 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=30 ns, Czas opóźnienia włączenia=9 ns, Napięcie bramka-źró... |
Torex Semiconductor XP261N70027R-G |
od PLN 0,44*
za szt. |
| 92% |
|
|
|
od PLN 5,77*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 173A, TO-220 (4 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=IRFB7537PBF, Ciągły prąd drenu (Id)=173 A, Czas narastania=105 ns, Czas opadania=84 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=82 ns, Czas opóźnienia włączenia=15 ns, Napięcie bramka-źró... |
|
od PLN 2,724*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 1A, TO-236 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=XP263N1001TR-G, Ciągły prąd drenu (Id)=1 A, Czas narastania=8 ns, Czas opadania=10 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=35 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źród... |
Torex Semiconductor XP263N1001TR-G |
od PLN 0,39*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 2.6A, SOT-223 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=BSP318SH6327XTSA1, Ciągły prąd drenu (Id)=2.6 A, Czas narastania=15 ns, Czas opadania=15 ns, Czas opóźnienia wyłączenia=20 ns, Czas opóźnienia włączenia=12 ns, Napięcie bramk... |
Infineon BSP318SH6327XTSA1 |
od PLN 1,289*
za szt. |
| 92% |
|
|
|
od PLN 5,45*
za szt. |
| 92% |
|
|
Infineon BSS7728NH6327XTSA2 |
od PLN 0,194*
za szt. |
| 92% |
|
|
Infineon SN7002NH6327XTSA2 |
od PLN 0,107*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (2 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=40 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, Rez... |
|
od PLN 0,29*
za szt. |
| 92% |
|
Tranzystor MOSFET, Kanał N, 60V, 200mA, TO-92 (3 ofert) Tranzystor MOSFET, Typ=2N7000-G, Ciągły prąd drenu (Id)=200 mA, Czas opóźnienia wyłączenia=10 ns, Czas opóźnienia włączenia=10 ns, Napięcie bramka-źródło=30 V, Napięcie źródłowe drenu (Vds)=60 V, R... |
Microchip Technology 2N7000-G |
od PLN 1,36*
za szt. |
| |
|
