Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 869 ofert spośród 5 026 383 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 35A; Idm: 236A; 392W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 392W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDA59N25
od PLN 9,28*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRFI1310N tranzystor 120 V (2 ofert)
Infineon
IRFI1310NPBF
od PLN 3,107*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 125ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 347W ...
IXYS
IXFA36N30P3
od PLN 11,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 25 A HSMT8 150 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 150 V Typ opakowania = HSMT8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Tryb kanałowy = Rozszerzenie ...
ROHM Semiconductor
RH6R025BHTB1
od PLN 2,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 80A; 390W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W Polaryzacja: unipolarny ...
IXYS
IXFQ80N25X3
od PLN 33,09*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247-4L 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247-4L Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4062KRHRC15
od PLN 36,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 60A; 320W; TO3P; 95ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 95ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320W Pol...
IXYS
IXFQ60N25X3
od PLN 20,68*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 240 A SuperSO8 5 x 6 DSC 60 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 240 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = SuperSO8 5 x 6 DSC Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Liczba elementów...
Infineon
BSC014N06NSSCATMA1
od PLN 18 565,56*
za 4 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 36,6A; 125W; D2PAK,TO263 (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 36,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: ...
Vishay
SUM10250E-GE3
od PLN 8,21*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 24 A TO-247 650 V 0.111 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 24 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródł...
Infineon
IMW65R083M1HXKSA1
od PLN 589,02*
za 30 szt.
 
 opakowanie
MOSFET N-kanałowy 25 A LFPAK, SOT-669 60 V SMD 0.014 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V Typ opakowania = LFPAK, SOT-669 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Maksymalna rezystancj...
Renesas Electronics
RJK0651DPB-00J5
od PLN 6 369,70*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 266ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...
IXYS
IXTX90N25L2
od PLN 107,53*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 26 A TO-247N 1200 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór przezierny
ROHM Semiconductor
SCT4062KEHRC11
od PLN 29,718*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 250V; 76A; 460W; TO3P; 148ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 148ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Po...
IXYS
IXTQ76N25T
od PLN 15,60*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 241.3 A H-PSOF8L 80 V SMD 0.0017 Ω (1 Oferta) 
The ON Semiconductor automotive power MOSFET in a TOLL package for efficient designs with high thermal performance. It has drain current of 241.3 A.Minimize conduction losses Minimize driver losses...
onsemi
NVBLS1D7N08H
od PLN 18 517,30*
za 2 000 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   1525   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.