Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 885 ofert spośród 5 025 759 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 1,1A; 1,6W; SuperSOT-6 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-6 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 1,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,6W Polaryzacja: u...
onsemi
FDC2612
od PLN 1,34*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220AB 800 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
Vishay
SIHP24N80AEF-GE3
od PLN 11,199*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 12,3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQB19N20TM
od PLN 4,33*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA60R160P7XKSA1
od PLN 7,278*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 200 A PG-HSOF-5 40 V SMD (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 200 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = PG-HSOF-5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
od PLN 3,653*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A PQFN 3,3 mm x 3,3 mm 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = PQFN 3,3 mm x 3,3 mm Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRFHM830TRPBF
od PLN 1,994*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polary...
Microchip Technology
APT20M20LFLLG
od PLN 146,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 714W ...
IXYS
IXFK120N20P
od PLN 37,01*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220AB 650 V (2 ofert) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-220AB Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1
ROHM Semiconductor
R6520KNX3C16
od PLN 4,935*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 67A; 370W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polaryz...
Microchip Technology
APT20M38SVRG
od PLN 76,48*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 21 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Typ opakowania = SO-8 Typ montażu = Otwór przezierny
Infineon
IRF7862TRPBF
od PLN 1,303*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polary...
Microchip Technology
APT20M16LLLG
od PLN 105,93*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 650 V 0.142 Ω (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.14...
Infineon
IMW65R107M1HXKSA1
od PLN 24,336*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 14A; 110W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 14A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryzacja: unipolarny Cena jednostkowa: Nie #...
Infineon
IRFU13N20DPBF
od PLN 2,32*
za szt.
 
 szt.
MOSFET N-kanałowy 20 A TO-247 500 V (1 Oferta) 
Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 20 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Licz...
Vishay
IRFP460LCPBF
od PLN 9,834*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   671   672   673   674   675   676   677   678   679   680   681   ..   1526   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.