Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (23 032 ofert spośród 4 841 003 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 379W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG47N60EF-GE3
od PLN 17,481*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG050N60E-GE3
od PLN 28,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,3A; 38W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM60N1R4CH C5G
od PLN 3,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 33A; Idm: 156A; 481W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FCH070N60E
od PLN 21,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 26A; Idm: 115A; 250W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG068N60EF-GE3
od PLN 16,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 35A; Idm: 105A; 379W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 379W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
R6035KNZ4C13
od PLN 21,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 28A; Idm: 160A; 780W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT43F60B2
od PLN 45,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG70N60AEF-GE3
od PLN 37,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,9A; Idm: 25A; 130W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO262;I2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHFBC40L-GE3
od PLN 4,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29,7A; Idm: 141A; 368W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 51,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 368W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FCH47N60N
od PLN 37,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,8A; 83W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM60N600CP ROG
od PLN 7,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: THT Obudowa: TO220ABL Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 235W Pol...
PanJit Semiconductor
PJMP120N60EC_T0_00001
od PLN 7,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,5A; 50W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM60N900CP ROG
od PLN 5,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3,5A; Idm: 11A; 48W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Polaryzacja: ...
Vishay
SIHJ690N60E-T1-GE3
od PLN 4,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG039N60E-GE3
od PLN 31,92*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1401   1402   1403   1404   1405   1406   1407   1408   1409   1410   1411   ..   1536   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.