Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 919 082 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 137A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SCT3040KLHRC11
od PLN 140,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Polar...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC080
od PLN 18,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; SMPD-B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD-B Struktura półprzewodnika: podwójna szeregowa Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFE...
IXYS
MCB40P1200LB-TUB
od PLN 946,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 74A; Idm: 220A; 428W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 428W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M18120Q
od PLN 76,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3080ALGC11
od PLN 39,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA170B4
od PLN 135,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M035120YP
od PLN 43,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIF120SIC028
od PLN 87,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 7A; Idm: 27A; 131W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 131W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC400SMA330B4
od PLN 100,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 70A; Idm: 200A; 500W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120G0025
od PLN 131,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 84A; Idm: 295A; 715W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 26mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028
od PLN 83,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4,4A; Idm: 11A; 60W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO170E0750
od PLN 18,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065Q
od PLN 48,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065D
od PLN 36,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3,5A; Idm: 6A; 69W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M1K170B
od PLN 13,35*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1271   1272   1273   1274   1275   1276   1277   1278   1279   1280   1281   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.