Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (22 968 ofert spośród 4 919 082 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „MOSFET“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"MOSFET"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Po...
IXYS
IXFY4N60P3
od PLN 2,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 24A; Idm: 60A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polar...
ROHM Semiconductor
SCT3105KRC14
od PLN 43,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 2kV; 6A; 960W; 520ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 520ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...
IXYS
IXTX6N200P3HV
od PLN 231,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 40V; 84A; Idm: 475A (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: LFPAK33;SOT1210 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 84A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 101W Polaryzac...
Nexperia
PSMN3R3-40MLHX
od PLN 2,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M18B2VFRG
od PLN 104,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10050B2VFRG
od PLN 128,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 47A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010B2VRG
od PLN 72,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 32A; Idm: 81A; 270W (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Pola...
WeEn Semiconductors
WNSCM80120R6Q
od PLN 31,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 65A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M80L2VRG
od PLN 170,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 4A; 960W; 420ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
IXYS
IXTX4N300P3HV
od PLN 254,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 77A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 77A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M60L2VRG
od PLN 150,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 117A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 69mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40120Q
od PLN 52,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; TO247MAX (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Cena jednostkowa: Nie #Akcje #promocyjne: aac_202202 Tech...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030B2VRG
od PLN 91,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 49A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6011B2VRG
od PLN 101,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 11A; Idm: 38A; 127W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,285Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 127W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120E
od PLN 23,66*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   1271   1272   1273   1274   1275   1276   1277   1278   1279   1280   1281   ..   1532   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.