 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 7 A TO-220 FP 800 V 0.75 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Typ opakowania = TO-220 FP Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źró... |
|
od PLN 4,084*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 54 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 54 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R039M1HXTMA1 |
od PLN 34,502*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 557 A D2PAK-7 40 V SMD 0.00065 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 557 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = D2PAK-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren... |
|
od PLN 10,993*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220 FP 700 V 0.9 Ω (1 Oferta) Infineon Design of Cool MOS™ to rewolucyjna technologia tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. Najnows... |
Infineon IPA70R900P7SXKSA1 |
od PLN 2,237*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 7,2 A TO-220 950 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,2 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 950 V Typ opakowania = TO-220 Liczba styków = 3 |
|
od PLN 3,444*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 40,212*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 3,577*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220 FP 800 V 0.9 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V Seria = CoolMOS™ P7 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0... |
|
od PLN 2,744*
za szt. |
|
100% |
|
|
|
od PLN 2 892,375*
za 2 500 szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 540 mA SOT-23 55 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 540 mA Maksymalne napięcie dren-źródło = 55 V Typ opakowania = SOT-23 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon BSS670S2LH6433XTMA1 |
od PLN 0,34*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 56 A IPAK 100 V (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 56 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = HEXFET Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Tryb kanałowy = Rozszerzenie Materiał tran... |
|
od PLN 2,554*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-220 FP 950 V 0.12 Ω (1 Oferta) Model Infineon zaprojektowany z myślą o rosnących potrzebach klientów na rynku tranzystorów MOSFET wysokiego napięcia, najnowsza technologia CoolMOS™ P7 950V skupia się na rynku SMPS o niskiej mocy... |
|
od PLN 3,887*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 7,4 A TO-263-7 1700 V SMD 650 m.Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 7,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1700 V Seria = IMBF1 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Maksymalna rezystancja dren-źródło =... |
Infineon IMBF170R650M1XTMA1 |
od PLN 10 778,51*
za 1 000 szt. |
|
100% |
|
|
Infineon BSC160N15NS5ATMA1 |
od PLN 3,215*
za szt. |
|
100% |
|
MOSFET N-kanałowy 6 A TO-263-7 650 V SMD (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 6 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Typ opakowania = TO-263-7 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 7 Liczba elementów na układ = 1 |
Infineon IMBG65R260M1HXTMA1 |
od PLN 14,045*
za szt. |
|
|
