infineon (irf)  (11 704 ofert spośród 5 018 496 artykułów)

Tranzystor IGBT, Typ=IKW20N60TFKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=20 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=600 V, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat))...

Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ opakowania = PG-SC79

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-8 Napięcie zasilania: 3,1...17V;13...35V Prąd wyjściowy: -0,5...0,5A Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 1 Właściwości układów ...

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-8 Napięcie zasilania: 13...18V;3,1...17V Prąd wyjściowy: -2...2A Typ układu scalonego: driver Liczba kanałów: 1 Właściwości układów scal...

Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposaż...

Tranzystor IGBT, Typ=IGW08T120FKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=16 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat)...

Kierunkowość = Dwukierunkowy Maksymalne napięcie stabilizacji = 32.5V Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Typ opakowania = WLL-2-3

Nowy jednokanałowy, galwanicznie izolowany element IC sterownika bramki Infineon 1EDS5663H to idealne rozwiązanie dla HEMT o wysokiej jakości azotku galu (GAN) z nieizolowaną bramką (charakterystyk...

INFINEON IGBT IGW_, IGZ_, IKW_, IKZ_ TO Dane techniczne: Czas opóźnienia t(d)(on): 27 ns · Dalsze dane techniczne: (UGE(th)) Napięcie progowe nadajnika bramki: 5,8 V · (ICpuls) Impulsowy prąd kolek...

Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ opakowania = PG-SC79

Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: PG-MDIP24 Napięcie pracy: 13,5...18,5/0...400V DC Częstotliwość: 20kHz Prąd wyjściowy: -15...15A Typ układu scal...

Tranzystor IGBT, Typ=IKW40T120FKSA1, Ciągły prąd kolektora (Ic)=40 A, Napięcie bramka-emiter (Vge)=20 V, Napięcie kolektor-emiter (Vceo)=1.2 kV, Napięcie nasycenia emitera kolektora maks. (Vce(sat)...

Infineon CoolSiC generacja 6 oferuje nową, najnowocześniejszą technologię dla diody barierowej schottkyego o natężeniu prądu 12 A. Ta najnowsza generacja jest przeznaczona do zastosowań w telekomun...