 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 128,04*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 300V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania: 11... |
|
od PLN 6,25*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 8A; 47W; TO263 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 27ns Czas w... |
ROHM Semiconductor RGT16NL65DGTL |
od PLN 4,49*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1,2kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 295A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 119ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 153,23*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 118A Czas załączania: 59ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 32,50*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 39... |
|
od PLN 142,22*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 75A; 660W; TO247 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 29ns Czas wyłączania: 0... |
|
od PLN 41,69*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; PLUS247™ (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 320A Czas załączania: 52ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 50,68*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 160A; 940W; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 320A Czas załączania: 52ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 51,92*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 28,99*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 312,73*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 1,2kV; 75A; 568W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 140ns... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N120HF1 |
od PLN 29,43*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 12ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 36,60*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 29A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 29A Prąd kolektora w impulsie: 32A Czas załączania: 12ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 48,15*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 86,01*
za szt. |
|
|
