![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120LRG |
od PLN 71,90* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 12,14* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 30,85* za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2C-311 155 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 155 W Typ opakowania = AG-ECONO2C-311 |
|
od PLN 394,537* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 183,27* za szt. |
|
|
IGBT Uce 950 V TO-247 Pojedynczy 453 W (1 Oferta) Stop Rowu, Pole, 4. Generacja, niskie Vcessiat IGBT, pakowane razem z diodą o pełnym prądzie znamionowymMaksymalna temperatura złącza: TJ = 175℃ Współczynnik dodatniej temperatury dla łatwej pracy ... |
|
od PLN 841,5801* za 30 szt. |
|
|
|
|
od PLN 31,92* za szt. |
|
|
IGBT Uce 600 V PG-TO252-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO252-3 |
|
od PLN 1,9086* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 70A; 961W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 70A Prąd kolektora w impulsie: 280A Czas załączania: 81ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT70GR120L |
od PLN 54,07* za szt. |
|
|
IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-311 350 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 350 W Typ opakowania = AG-ECONO2B-311 |
|
od PLN 525,229* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 18A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 18A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 21ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GT120BRDQ1G |
od PLN 22,52* za szt. |
|
|
IGBT Uce 1700 V AG-62MMHB-411 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = AG-62MMHB-411 |
|
od PLN 727,663* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 65A; 595W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 65A Prąd kolektora w impulsie: 260A Czas załączania: 64ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT70GR65B |
od PLN 30,75* za szt. |
|
|
|
|
PLN 332,688* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120S |
od PLN 27,12* za szt. |
|
|