 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon IPD90N06S407ATMA2 |
od PLN 2,139*
za szt. |
|
|
|
Infineon IPL60R095CFD7AUMA1 |
od PLN 26 225,76*
za 3 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 1 810,53*
za 3 000 szt. |
|
|
|
Infineon IPD90P03P4L04ATMA2 |
od PLN 3,671*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,065*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,80*
za szt. |
|
|
Dioda laserowa VCSEL 110 × 85° 850nm 2.1W (2 ofert) Dioda laserowa VCSEL 110 × 85°, Typ=159353850B1300, Długość fali szczytowej=850 nm, Maks. moc wyjściowa oświetlenia=2.1 W, Maks. napięcie robocze=2.1 V, Maks. temperatura obudowy=85 °C, Prąd robocz... |
Würth Elektronik 159353850B1300 |
od PLN 74,66*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RB521CM-30T2R |
od PLN 765,52*
za 8 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,29*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RB520CM-30T2R |
od PLN 1 375,60*
za 8 000 szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,31*
za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor SCS206AJTLL |
od PLN 6,98*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,60*
za szt. |
|
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 10A, 1.2kV, TO-247-3L 1.2kV 10A TO-247-3L Podwójna (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D1210KSD, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.4 V, Opór cieplny=430 mW/°C, Pojemność=500 pF, Prąd wsteczny maks.=800 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=272 W, Styki=3, Szczytowy ni... |
United Silicon Carbide UJ3D1210KSD |
od PLN 42,25*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,31*
za szt. |
|
|
