| | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
|
od PLN 1,995* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,869* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,391* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 1,881* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 4,602* za szt. |
|
|
|
Infineon BAT1502LRHE6327XTSA1 |
od PLN 3,722* za 5 szt. |
|
|
|
|
od PLN 0,807* za szt. |
|
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 10A, 1.2kV, TO-247-3L 1.2kV 10A TO-247-3L Podwójna (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D1210KSD, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.4 V, Opór cieplny=430 mW/°C, Pojemność=500 pF, Prąd wsteczny maks.=800 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=272 W, Styki=3, Szczytowy ni... |
United Silicon Carbide UJ3D1210KSD |
od PLN 40,58* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,79* za szt. |
|
|
Dioda: prostownicza Schottky (1 Oferta) Producent: KYOCERA AVX Struktura półprzewodnika: pojedyncza dioda Cena jednostkowa: Nie Typ diody: prostownicza Schottky |
|
od PLN 2,66* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RB521CM-30T2R |
od PLN 744,08* za 8 000 szt. |
|
|
Dioda Schottky'ego, SiC, 10A, 650V, TO-220 650V 10A TO-220 Pojedyncza (1 Oferta) Dioda Schottky'ego, SiC, Typ=UJ3D06510TS, Napięcie przewodzenia (Vf)=1.5 V, Opór cieplny=820 mW/°C, Pojemność=327 pF, Prąd wsteczny maks.=150 µA, Rozpraszanie mocy (Pd)=136.4 W, Styki=2, Szczytowy ... |
United Silicon Carbide UJ3D06510TS |
od PLN 12,80* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 6,30* za szt. |
|
|
Dioda: prostownicza Schottky (1 Oferta) Producent: KYOCERA AVX Struktura półprzewodnika: pojedyncza dioda Cena jednostkowa: Nie Typ diody: prostownicza Schottky |
|
od PLN 2,04* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RB520CM-30T2R |
od PLN 1 378,48* za 8 000 szt. |
|
|