Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 > Wyszukiwanie "298"

  298  (2 265 ofert spośród 4 915 381 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „298“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
93%
JUNG ES 2981 (1 Oferta)
Jung
ES2981
od PLN 59,44*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTA76P10T
od PLN 14,73*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTQ44P15T
od PLN 16,23*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTP76P10T
od PLN 14,14*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTA120P065T
od PLN 14,53*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W P...
IXYS
IXTA140P05T
od PLN 17,91*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTH140P05T
od PLN 24,97*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 14,9A; Idm: 72A; 298W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 14,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,133Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Polaryzacja: unip...
onsemi
FCH150N65F-F155
od PLN 13,58*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTP140P05T
od PLN 18,28*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTH120P065T
od PLN 18,28*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTP120P065T
od PLN 14,12*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -96A; 298W; 55ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 55ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTH96P085T
od PLN 19,77*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -96A; 298W; 55ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 55ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTP96P085T
od PLN 14,06*
za szt.
 
 szt.
93%
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -96A; 298W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 55ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W P...
IXYS
IXTA96P085T
od PLN 14,53*
za szt.
 
 szt.
93%
Tłumik drgań; M8; Ø: 30mm; guma; Dł: 20mm; H: 8mm; 1488N; 298N/mm (1 Oferta) 
Producent: ELESA+GANTER Średnica: 30mm Materiał korpusu: guma Wymiar H: 8mm Wymiar D1: 22mm Gwint: M8 Cena jednostkowa: Nie Twardość Shore'a: 70±5 Typ elementu montażowego: tłumik drgań Długość dys...
ELESA+GANTER
DVC.3-30-22-20-M8-70
od PLN 9,37*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   91   92   93   94   95   96   97   98   99   100   101   ..   151   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.