 | | | | | |
| Fotografia | | | | Zamów |
|
|
90% |
|
|
|
od PLN 438,945*
za szt. |
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 1200 V 0,06 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = CoolSiC Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0... |
Infineon AIMW120R060M1HXKSA1 |
od PLN 85,377*
za szt. |
|
90% |
|
IGBT Ic 68 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 291 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 68 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 291 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 114,288*
za szt. |
|
90% |
|
IGBT Ic 68 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 291 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 68 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 291 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = ... |
|
od PLN 128,314*
za szt. |
|
90% |
|
IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 PLUS kanał: N 880 W (1 Oferta) Infineon High speed hard-switching TRENCHSTOP IGBT6 zapakowany w miękką i szybką diodę antyrównoległą do pełnego powrotu prądu w OBUDOWIE TO-247 jest zaprojektowany, aby osiągnąć najlepszy kompromi... |
Infineon IKY75N120CS6XKSA1 |
od PLN 27,32*
za szt. |
|
90% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 kanał: N 5 kW (2 ofert) Infineon 40 A IGBT z diodą antyrównoległą jest bardzo miękką, szybką diodą antyrównoległą z odzyskiwaniem i charakteryzuje się wysoką stabilnym zachowaniem w zakresie temperatury. Użyto niskiego po... |
Infineon IKY40N120CS6XKSA1 |
od PLN 19,544*
za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Uce 1200 V Q0BOOST Dwa kanał: N 186 W (1 Oferta) NXH100B120H3Q0 to moduł zasilający z podwójnym etapem podniesienia napięcia zawierający dwa układy IGBT 50A/1200 V, dwie diody SIC 20A/1200 V i dwie diody zapobiegające połączeniu równoległemu 25 A... |
|
od PLN 227,095*
za szt. |
|
90% |
|
IGBT Ic 80 A Uce 1200 V PG-TO247-3-46 500 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 80 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 |
Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 |
od PLN 27,108*
za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Uce 1200 V Q13-TNPC kanał: N 145 W (1 Oferta) NXH40T120L3Q1PG/SG to moduł zasilania CASE zawierający trójkanałowy obwód z mocowaniem punktu neutralnego typu T (TNPC). Każdy kanał posiada dwa tranzystory IGBT 1200 V, 40 A z diodami odwróconą or... |
|
od PLN 444,192*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 756,366*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 338,46*
za szt. |
|
90% |
|
Moduł IGBT Uce 1200 V Q0BOOST Dwa kanał: N 186 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 186 W Typ opakowania = Q0BOOST Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ kanału = N Licz... |
|
od PLN 170,189*
za szt. |
|
90% |
|
MOSFET N-kanałowy 36 A TO-247 1200 V 0,06 Ω (1 Oferta) Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źród... |
Infineon AIMW120R060M1HXKSA1 |
od PLN 76,298*
za szt. |
|
90% |
|
|
|
od PLN 37,73*
za szt. |
|
90% |
|
|
Heinrich Kipp Werk K1257.111200 |
od PLN 95,28*
za szt. |
|
|
