Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (336 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 168A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 168A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,9mΩ Moc rozp...
IXYS
IXFN180N25T
od PLN 70,54*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Moc rozpraszana:...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120N
od PLN 73,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 115A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N20P
od PLN 79,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN180N15P
od PLN 79,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN200N10P
od PLN 82,08*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 86A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN102N30P
od PLN 85,189*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN48N60P
od PLN 85,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 50A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N50P
od PLN 85,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN360N10T
od PLN 85,88*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 68A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN94N50P2
od PLN 86,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 120A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpraszana: 38...
DACO Semiconductor
DAMI160N100
od PLN 87,04*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N60P3
od PLN 88,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Moc rozpraszana: 450...
ST Microelectronics
STE48NM50
od PLN 89,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Moc rozpraszana: 105W Cena jednost...
WeEn Semiconductors
WMSC040H12B1P6T
od PLN 89,84*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN32N80P
od PLN 90,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN160N30T
od PLN 92,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 330A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 330A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpraszana: 652W Polaryz...
Vishay
VS-FC420SA10
od PLN 95,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 76A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN102N65X2
od PLN 97,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 110A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N30P
od PLN 97,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 420A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN420N10T
od PLN 98,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 53A; Press-in PCB; Idm: 100A (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpraszana: 111W Cena jednost...
WeEn Semiconductors
WMSC030H12B1P6T
od PLN 99,92*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 480A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 480A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN520N075T2
od PLN 100,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,7mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI220N150
od PLN 104,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 33A; ISOTOP; przykręcany; 460W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 460...
ST Microelectronics
STE53NC50
od PLN 105,01*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 39A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80P
od PLN 105,45*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI330N60
od PLN 106,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 106mΩ Moc rozpraszana: 261W Polaryza...
Vishay
VS-FA40SA50LC
od PLN 107,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI160N200
od PLN 107,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
od PLN 107,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 24A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
od PLN 107,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN40P50P
od PLN 108,08*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M60J
od PLN 108,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N65X2
od PLN 108,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU2
od PLN 109,89*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU3
od PLN 110,09*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 24A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38F50J
od PLN 110,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10T
od PLN 110,78*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 112A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN132N50P3
od PLN 112,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN110N60P3
od PLN 113,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI300N150
od PLN 114,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 80A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 485ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN80N30L2
od PLN 115,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100P
od PLN 115,47*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 146A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 146A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN170N25X3
od PLN 115,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 24A; ISOTOP; przykręcany; 357W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38M50J
od PLN 116,53*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 40V; 600A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 600A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN600N04T2
od PLN 116,76*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30F60J
od PLN 116,88*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 180A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI220N200
od PLN 118,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 32A; ISOTOP; przykręcany; 480W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT51M50J
od PLN 119,45*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N60P
od PLN 121,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 72A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60P
od PLN 121,56*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.