Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,7kV; 225A; Half-Bridge Module (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: Half-Bridge Module Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 225A Rezystancja w stan...

Wolfspeed

CAS300M17BM2

od PLN 4 534,052*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 285A; Half-Bridge Module (1 Oferta)

Producent: Wolfspeed(CREE) Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: Half-Bridge Module Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 285A Rezystancja w stan...

Wolfspeed

CAS300M12BM2

od PLN 3 705,70*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 138A; Half-Bridge Module (1 Oferta)

Wolfspeed

CAS120M12BM2

od PLN 2 133,02*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A (1 Oferta)

Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Moc rozpraszana: 105W Montaż elekt...

WeEn Semiconductors

WMSC040H12B1P6T

od PLN 89,08*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 53A; Press-in PCB; Idm: 100A (1 Oferta)

Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpraszana: 111W Montaż elekt...

WeEn Semiconductors

WMSC030H12B1P6T

od PLN 99,66*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 70A; Press-in PCB; Idm: 140A (1 Oferta)

Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana: 118W Montaż elekt...

WeEn Semiconductors

WMSC020H12B1P6T

od PLN 138,34*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 85A; Press-in PCB; Idm: 170A (1 Oferta)

Producent: WeEn Semiconductors Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Moc rozpraszana: 146W Montaż elekt...

WeEn Semiconductors

WMSC016H12B1P6T

od PLN 172,41*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,93mΩ Moc rozpraszana: 909W Polary...

Vishay

VS-FC420SA15

od PLN 192,61*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 330A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 330A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpraszana: 652W Polaryz...

Vishay

VS-FC420SA10

od PLN 94,58*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 106mΩ Moc rozpraszana: 261W Polaryza...

Vishay

VS-FA40SA50LC

od PLN 106,48*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 55,7A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 55,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 4...

ST Microelectronics

STE88N65M5

od PLN 129,59*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 70A; ISOTOP; przykręcany; 600W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpraszana: 600...

ST Microelectronics

STE70NM60

od PLN 138,09*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 33A; ISOTOP; przykręcany; 460W (3 ofert)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 460...

ST Microelectronics

STE53NC50

od PLN 111,05*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 30A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Moc rozpraszana: 450...

ST Microelectronics

STE48NM50

od PLN 89,43*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 90A; ISOTOP; przykręcany; 679W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Moc rozpraszana: 679...

ST Microelectronics

STE145N65M5

od PLN 174,30*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 25A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Moc rozpraszana:...

SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0080120N

od PLN 73,77*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 100V; 335A; SEMITOP3; Press-in PCB (1 Oferta)

Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITOP3 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 335A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Montaż elektryczny...

SEMIKRON DANFOSS

SK280MB10 24920970

od PLN 421,24*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; Idm: 447A (2 ofert)

Producent: ONSEMI Obudowa: PIM20 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 149A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 352W Montaż elektryc...

onsemi

NXH020U90MNF2PTG

od PLN 610,503*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SP1F; Press-in PCB; 395W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1F Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana: 39...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSCSM120AM31CT1AG

od PLN 598,65*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC70SM120JCU3

od PLN 347,53*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 71A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC70SM120JCU2

od PLN 347,64*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC40SM120JCU3

od PLN 238,17*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC40SM120JCU2

od PLN 238,29*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 138A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 138A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC130SM120JCU3

od PLN 529,52*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 138A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC130SM120JCU2

od PLN 530,51*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 98A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC100SM70JCU3

od PLN 307,94*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC100SM70JCU2

od PLN 307,70*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 24A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA120J

od PLN 105,15*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 37A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC040SMA120J

od PLN 149,36*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 54A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC025SMA120J

od PLN 209,55*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 42A; SP1; Press-in PCB; 250W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1 Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpraszana: 250...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTMC120AM55CT1AG

od PLN 1 013,95*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 500V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 390W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 78mΩ Moc rozpraszana: 39...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM50HM65FT3G

od PLN 589,32*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; 312W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 31...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM50H10FT3G

od PLN 418,91*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 781W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20SKM08TG

od PLN 435,96*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 7...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20HM08FG

od PLN 1 075,19*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM20DAM08TG

od PLN 436,72*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 207A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Moc rozpraszana: 780W Mon...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM10SKM05TG

od PLN 442,99*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM10DAM05TG

od PLN 442,36*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 33A; SP4; Idm: 172A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana: 780W Mon...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM100DA18TG

od PLN 430,61*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW; Ugs: ±30V (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Moc rozpraszana: 1,25kW ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTM100A13SG

od PLN 1 170,46*
za szt.

Moduł; dioda SiC/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 250W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Prąd kolektora: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTCV60HM45RCT3G

od PLN 445,06*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Moc rozpraszana: 250W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTCV60HM45BT3G

od PLN 421,55*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Moc rozpraszana: 15...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC80H29T3G

od PLN 208,70*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 29A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 160A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 250W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60HM70BT3G

od PLN 406,64*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; 250W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Moc rozpraszana: 250...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60HM45T1G

od PLN 415,84*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 462W Mo...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60DHM24T3G

od PLN 444,02*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 72A; SP4; konektory FASTON; 416W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Moc rozpraszana: 416W Mon...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60AM35SCTG

od PLN 524,95*
za szt.

Moduł; tranzystor/tranzystor; 600V; 70A; SP1; Press-in PCB; 462W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 462...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APTC60AM24T1G

od PLN 417,47*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 52A; ISOTOP; przykręcany; 960W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT80M60J

od PLN 228,53*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 52A; ISOTOP; przykręcany; 961W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT80F60J

od PLN 246,97*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 4 5 6 7 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)