Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN60N80P
od PLN 152,972*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 49A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN62N80Q3
od PLN 194,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 50A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N50P
od PLN 85,77*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N60P
od PLN 120,56*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN66N85X
od PLN 137,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 63A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N50Q3
od PLN 158,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N60P3
od PLN 88,47*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 72A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60P
od PLN 120,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60Q3
od PLN 192,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...
IXYS
IXFN90N170SK
od PLN 1 475,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN90N85X
od PLN 175,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 68A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN94N50P2
od PLN 85,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 650ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN40N60C
od PLN 123,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 74mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN45N80C
od PLN 191,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 580ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN75N60C
od PLN 228,89*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.