Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 6/23)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Znak jakości

Cena

Zamów

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 48A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...

IXYS

IXFN50N120SK

brak danych

od PLN 272,03*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewo...

DACO Semiconductor

DACMI80N1200

brak danych

od PLN 306,49*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 54A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC025SMA120J

brak danych

od PLN 216,79*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 74A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana...

Genesic Semiconductor

G3R20MT12N

brak danych

od PLN 192,00*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 76A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewo...

DACO Semiconductor

DACMI120N1200

brak danych

od PLN 415,43*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Moc rozpr...

IXYS

IXTN8N150L

brak danych

od PLN 194,99*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...

IXYS

IXFN90N170SK

brak danych

od PLN 1 473,74*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 70A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Moc rozpraszana...

Genesic Semiconductor

G3R20MT17N

brak danych

od PLN 476,74*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 120A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpraszana: 38...

DACO Semiconductor

DAMI160N100

brak danych

od PLN 84,07*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 144A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 144A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11JVFR

brak danych

od PLN 243,28*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 178A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 178A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXTN200N10L2

brak danych

od PLN 153,73*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXTN200N10T

brak danych

od PLN 110,70*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN200N10P

brak danych

od PLN 82,24*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 225A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 225A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M07JVFR

brak danych

od PLN 279,26*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 280A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 280A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpraszana: ...

DACO Semiconductor

DAMI320N100

brak danych

od PLN 142,93*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 23 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (338 artykułów)