Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (338 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 24A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38F50J
brak danych
od PLN 112,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 33A; ISOTOP; przykręcany; 460W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 460...
ST Microelectronics
STE53NC50
brak danych
od PLN 111,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU3
brak danych
od PLN 111,34*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 30A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 120A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpraszana: 290W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40N60JCU2
brak danych
od PLN 111,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10T
brak danych
od PLN 110,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 355W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M60J
brak danych
od PLN 109,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 26A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
brak danych
od PLN 108,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN40P50P
brak danych
od PLN 108,31*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewo...
DACO Semiconductor
DAMI160N200
brak danych
od PLN 108,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N65X2
brak danych
od PLN 108,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
brak danych
od PLN 107,56*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 106mΩ Moc rozpraszana: 261W Polaryza...
Vishay
VS-FA40SA50LC
brak danych
od PLN 106,87*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5mΩ Polaryzacja: unipo...
DACO Semiconductor
DAMI330N60
brak danych
od PLN 106,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,7mΩ Moc rozpraszana: ...
DACO Semiconductor
DAMI220N150
brak danych
od PLN 105,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 39A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80P
brak danych
od PLN 105,62*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.