Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☑
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Oferty ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 51A; ISOTOP; przykręcany; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 51A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Moc rozpraszana...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8011JFLL
od PLN 388,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
3
IXYS
IXFN60N80P
od PLN 152,972*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 60A; ISOTOP; przykręcany; 960W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M80J
od PLN 338,50*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 110A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 205ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpra...
3
IXYS
IXFN110N85X
od PLN 238,539*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
1
IXYS
IXFN66N85X
od PLN 137,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Moc rozpras...
3
IXYS
IXFN90N85X
od PLN 175,99*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 109A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 109A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...
1
IXYS
IXFN130N90SK
od PLN 626,47*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 33A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozpra...
1
IXYS
IXFN40N90P
od PLN 126,24*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 43A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Moc rozpra...
1
IXYS
IXFN52N90P
od PLN 150,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 56A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Moc rozpr...
1
IXYS
IXFN56N90P
od PLN 219,86*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 110A; HB9434; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewo...
1
DACO Semiconductor
DACMH160N1200
od PLN 1 093,33*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 125A; HB9434; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 125A Rezystancja w stanie przewo...
1
DACO Semiconductor
DACMH200N1200
od PLN 1 375,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 138A; Half-Bridge Module (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Temperatura pracy: -40...125°C Obudowa: Half-Bridge Module Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 138A Rezystancja w stan...
1
Wolfspeed
CAS120M12BM2
od PLN 2 131,60*
za szt.
 
 szt.
Infineon FF45MR12W1M1_B11 tranzystor 30 V (1 Oferta)
1
Infineon
FF45MR12W1M1B11BOMA1
od PLN 316,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 1,2kV; 25A; HB9434; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: DACO Semiconductor Temperatura pracy: -55...150°C Obudowa: HB9434 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Polaryzacja: unipolarny Mont...
1
DACO Semiconductor
DACMH40N1200
od PLN 411,11*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.