Moduły tranzystorowe MOSFET kup korzystnie w Mercateo (strona 18/23)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Znak jakości

marginDiff

Cena

Zamów

Moduł; pojedynczy tranzystor; 60V; 900A; SOT227H; przykręcany (1 Oferta)

Producent: DACO Semiconductor Obudowa: SOT227H Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 900A Polaryzacja: unipolarny Cena jednostkowa: Nie Montaż elektr...

DACO Semiconductor

DAMIA1200N60

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 316,58*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 108A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 220ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXFN120N65X2

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 170,08*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 145A; SOT227B; przykręcany (3 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 145A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXFN150N65X2

brak danych

berechnete Marge kleiner
berechnete Marge kleiner
berechnete Marge groesser

od PLN 175,956*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 170A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXFN170N65X2

brak danych

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

od PLN 161,59*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 55,7A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 55,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpraszana: 4...

ST Microelectronics

STE88N65M5

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 130,38*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 76A; SOT227B; przykręcany (3 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...

IXYS

IXTN102N65X2

brak danych

berechnete Marge kleiner
berechnete Marge groesser

od PLN 97,75*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...

IXYS

IXFN100N65X2

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 108,51*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 90A; ISOTOP; przykręcany; 679W (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ Moc rozpraszana: 679...

ST Microelectronics

STE145N65M5

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 175,08*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 70V; 340A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozprasz...

IXYS

IXFN340N07

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 173,07*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 225A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 206ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 225A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Moc rozprasz...

IXYS

IXTN240N075L2

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 186,86*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 480A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 480A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXFN520N075T2

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 100,75*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 543W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT29F80J

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 147,40*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 20A; ISOTOP; przykręcany; 543W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT32M80J

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 135,55*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 25A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Moc rozpraszana: ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8030JVFR

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 166,78*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; ISOTOP; przykręcany; 460W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpraszana:...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8024JLL

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 159,79*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .. 23 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (336 artykułów)