Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (338 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 37A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120J
od PLN 154,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 178A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 178A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10L2
od PLN 153,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 53A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 980ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN60N50L2
od PLN 153,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 90A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 266ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN90N25L2
od PLN 153,40*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN60N80P
od PLN 153,312*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 41A; ISOTOP; przykręcany; 378W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010JLL
od PLN 153,30*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 15A; ISOTOP; przykręcany; 545W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT22F100J
od PLN 152,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 20A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN20N120P
od PLN 151,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 43A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN52N90P
od PLN 151,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 43A; ISOTOP; przykręcany; Idm: 270A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpraszana: 543W ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT58M50JCU2
od PLN 149,92*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 19A; ISOTOP; przykręcany; 543W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT29F80J
od PLN 149,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 70A; ISOTOP; przykręcany; 450W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M40JVR
od PLN 147,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 165ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN240N25X3
od PLN 147,26*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 31A; ISOTOP; przykręcany; 540W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47F60J
od PLN 145,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 295A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N10P
od PLN 144,45*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.