Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET

  Moduły tranzystorowe MOSFET (337 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; ISOTOP; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Moc rozpraszana:...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080JVFR
od PLN 200,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 25A; ISOTOP; przykręcany; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035JLL
od PLN 201,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 47A; ISOTOP; przykręcany; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010JFLL
od PLN 201,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 65A; ISOTOP; przykręcany; 960W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT100M50J
od PLN 203,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 37A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80Q3
od PLN 203,85*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 46A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 0,6µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Moc rozpra...
IXYS
IXTN46N50L
od PLN 204,485*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 76A; ISOTOP; przykręcany; 463W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M36JLL
od PLN 204,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 71A; ISOTOP; przykręcany; 595W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: ISOTOP Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana: ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M50JLL
od PLN 208,32*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Moc rozpraszana: 15...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTC80H29T3G
od PLN 209,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 54A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120J
od PLN 209,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100Q3
od PLN 211,425*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Moc rozpr...
IXYS
IXTN17N120L
od PLN 211,83*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN30N120P
od PLN 213,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 50A; V1-B-Pack; konektory FASTON (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-B-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: ...
IXYS
VUM33-06PH
od PLN 219,36*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 56A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN56N90P
od PLN 219,86*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   23   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.