Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET ---

  Moduły tranzystorowe MOSFET (156 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☑
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Oferty ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Moduł; dioda/tranzystor; 1kV; 33A; SP4; Idm: 172A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpraszana: 780W Mon...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100DA18TG
od PLN 438,33*
za szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 207A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Moc rozpraszana: 780W Mon...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10DAM05TG
od PLN 450,58*
za szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 207A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Moc rozpraszana: 780W Mon...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM10SKM05TG
od PLN 452,13*
za szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 781W Mo...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20DAM08TG
od PLN 444,99*
za szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 200V; 155A; SP6C; Idm: 832A; 781W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP6C Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 7...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20HM08FG
od PLN 1 098,32*
za szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP4 Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 155A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Moc rozpraszana: 781W Mo...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM20SKM08TG
od PLN 444,91*
za szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; 312W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3 Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 31...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM50H10FT3G
od PLN 426,64*
za szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 500V; 38A; SP3F; Press-in PCB; 390W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP3F Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 78mΩ Moc rozpraszana: 39...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM50HM65FT3G
od PLN 600,19*
za szt.
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 42A; SP1; Press-in PCB; 250W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SP1 Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpraszana: 250...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTMC120AM55CT1AG
od PLN 1 033,46*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 54A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Moc rozpraszana...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120J
od PLN 213,58*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 37A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Moc rozpraszana...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120J
od PLN 152,44*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 26A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpraszana...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120J
od PLN 107,47*
za szt.
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 98A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpraszana: ...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC100SM70JCU2
od PLN 313,76*
za szt.
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 700V; 98A; SOT227B; przykręcany; 365W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 98A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpraszana: ...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC100SM70JCU3
od PLN 314,02*
za szt.
Moduł; dioda SiC/tranzystor; 1,2kV; 138A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: dioda SiC/tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 138A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Moc rozpraszana...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC130SM120JCU2
od PLN 541,38*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.