Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET ---

  Moduły tranzystorowe MOSFET (102 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Moduł; tranzystor/tranzystor; 300V; 220A; Y3-DCB; Idm: 1,16kA (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpraszana: 1,5kW Polaryzac...
IXYS
VMM300-03F
od PLN 1 216,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł; tranzystor/tranzystor; 100V; 500A; Y3-Li; HiPerFET™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-Li Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 500A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż el...
IXYS
VMM650-01F
od PLN 1 608,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 56A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN56N90P
od PLN 220,53*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 43A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN52N90P
od PLN 151,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 33A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN40N90P
od PLN 127,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 109A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 109A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...
IXYS
IXFN130N90SK
od PLN 628,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN90N85X
od PLN 175,85*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN66N85X
od PLN 138,59*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 110A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 205ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN110N85X
od PLN 238,819*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN60N80P
od PLN 153,312*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 49A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN62N80Q3
od PLN 194,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 74mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN45N80C
od PLN 191,85*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 39A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80P
od PLN 105,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 37A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80Q3
od PLN 204,47*
za szt.
 
 szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN32N80P
od PLN 90,07*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.