Moduły tranzystorowe MOSFET IXYS kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpraszana: 1,38kW Polaryzacja: ...

IXYS

VUM85-05A

od PLN 452,98*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 35A; V1-A-Pack; konektory FASTON (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: u...

IXYS

VUM25-05E

od PLN 138,21*
za szt.

Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 50A; V1-B-Pack; konektory FASTON (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: V1-B-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: ...

IXYS

VUM33-06PH

od PLN 223,82*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -100V; -210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc roz...

IXYS

IXTN210P10T

od PLN 158,18*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -200V; -106A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozp...

IXYS

IXTN120P20T

od PLN 177,62*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN40P50P

od PLN 109,81*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; -600V; -32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozp...

IXYS

IXTN32P60P

od PLN 123,95*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...

IXYS

IXFN40N110P

od PLN 146,75*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

IXYS

IXFN40N110Q3

od PLN 134,83*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Moc rozpr...

IXYS

IXTN17N120L

od PLN 214,72*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 20A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN20N120P

od PLN 153,22*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż...

IXYS

IXFN27N120SK

od PLN 176,04*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 23A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Moc rozpra...

IXYS

IXFN26N120P

od PLN 193,44*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpr...

IXYS

IXFN30N120P

od PLN 217,25*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...

IXYS

IXFN50N120SIC

od PLN 277,77*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Moc rozpr...

IXYS

IXFN32N120P

od PLN 256,67*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 48A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...

IXYS

IXFN50N120SK

od PLN 276,05*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Moc rozpr...

IXYS

IXTN8N150L

od PLN 197,09*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...

IXYS

IXFN90N170SK

od PLN 1 502,87*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 178A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 178A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXTN200N10L2

od PLN 155,60*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXTN200N10T

od PLN 112,13*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN200N10P

od PLN 82,28*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 295A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN300N10P

od PLN 146,87*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN360N10T

od PLN 86,79*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 420A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN420N10T

od PLN 98,80*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2uC (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 590A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpra...

IXYS

VMO550-01F

od PLN 1 496,49*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 690A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Moc rozpra...

IXYS

VMO650-01F

od PLN 862,59*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXFN180N15P

od PLN 80,84*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN240N15T2

od PLN 126,64*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 310A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 310A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpras...

IXYS

IXFN360N15T2

od PLN 168,07*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 400A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 132ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN400N15X3

od PLN 158,97*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 170V; 260A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 260A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN320N17T2

od PLN 158,48*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 22A; SOT227B; przykręcany; 700W (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Moc rozpraszan...

IXYS

IXTN22N100L

od PLN 198,909*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 23A; SOT227B; przykręcany; 595W (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...

IXYS

IXFN26N100P

od PLN 187,55*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 24A; SOT227B; przykręcany; 568W (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...

IXYS

IXFN24N100

od PLN 144,56*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...

IXYS

IXFN32N100P

od PLN 116,96*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 28A; SOT227B; przykręcany; 780W (3 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...

IXYS

IXFN32N100Q3

od PLN 234,78*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 30A; SOT227B; przykręcany; 800W (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Moc rozprasza...

IXYS

IXTN30N100L

od PLN 281,11*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; przykręcany; 694W (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpras...

IXYS

IXFN36N100

od PLN 256,624*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 37A; SOT227B; przykręcany; 890W (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...

IXYS

IXFN44N100P

od PLN 139,25*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpras...

IXYS

IXFN38N100P

od PLN 175,92*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert)

IXYS

IXFN44N100Q3

od PLN 210,995*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 44A; SOT227B; przykręcany; 830W (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Moc rozpra...

IXYS

IXFN52N100X

od PLN 169,75*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 100A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXTN110N20L2

od PLN 176,38*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 115A; SOT227B; przykręcany (2 ofert)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Moc rozpra...

IXYS

IXFN140N20P

od PLN 64,989*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN220N20X3

od PLN 107,44*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN230N20T

od PLN 127,77*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 172ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN300N20X3

od PLN 185,08*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 146A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 146A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpr...

IXYS

IXFN170N25X3

od PLN 117,58*
za szt.

Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 168A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta)

Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 168A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,9mΩ Moc rozp...

IXYS

IXFN180N25T

od PLN 70,73*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 Dalej

Moduły tranzystorowe MOSFET (101 artykułów)