Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Moduły tranzystorowe MOSFET ---

  Moduły tranzystorowe MOSFET (102 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 130A; V2-Pack; Press-in PCB; 1,38kW (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V2-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpraszana: 1,38kW Polaryzacja: ...
IXYS
VUM85-05A
od PLN 447,11*
za szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 500V; 35A; V1-A-Pack; konektory FASTON (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-A-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: u...
IXYS
VUM25-05E
od PLN 136,43*
za szt.
Moduł; dioda/tranzystor; 600V; 50A; V1-B-Pack; konektory FASTON (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: V1-B-Pack Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: ...
IXYS
VUM33-06PH
od PLN 220,56*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -100V; -210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc roz...
IXYS
IXTN210P10T
od PLN 158,48*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -200V; -106A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -106A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozp...
IXYS
IXTN120P20T
od PLN 175,34*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -500V; -40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN40P50P
od PLN 108,14*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; -600V; -32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozp...
IXYS
IXTN32P60P
od PLN 121,84*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 34A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...
IXYS
IXFN40N110P
od PLN 144,10*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,1kV; 35A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Obudowa: SOT227...
IXYS
IXFN40N110Q3
od PLN 132,93*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 15A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,83µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Moc rozpr...
IXYS
IXTN17N120L
od PLN 212,44*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 20A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN20N120P
od PLN 151,01*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 21,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż...
IXYS
IXFN27N120SK
od PLN 173,34*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 23A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN26N120P
od PLN 190,36*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN30N120P
od PLN 213,82*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 30A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...
IXYS
IXFN50N120SIC
od PLN 273,74*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 32A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN32N120P
od PLN 255,77*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,2kV; 48A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Polaryzacja...
IXYS
IXFN50N120SK
od PLN 271,96*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Moc rozpr...
IXYS
IXTN8N150L
od PLN 194,66*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1,7kV; 67A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...
IXYS
IXFN90N170SK
od PLN 1 481,35*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 178A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 178A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10L2
od PLN 153,45*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN200N10T
od PLN 110,85*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 200A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN200N10P
od PLN 81,98*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 295A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 295A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N10P
od PLN 144,64*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 360A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN360N10T
od PLN 79,66*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 420A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN420N10T
od PLN 98,59*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA; 2uC (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 590A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1mΩ Moc rozpra...
IXYS
VMO550-01F
od PLN 1 474,65*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 100V; 690A; Y3-DCB; Idm: 2,78kA (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: Y3-DCB Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 690A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8mΩ Moc rozpra...
IXYS
VMO650-01F
od PLN 851,77*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 150A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 150A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN180N15P
od PLN 79,59*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN240N15T2
od PLN 124,58*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 310A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 310A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN360N15T2
od PLN 168,60*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 150V; 400A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 132ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN400N15X3
od PLN 156,88*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 170V; 260A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 170V Prąd drenu: 260A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN320N17T2
od PLN 155,74*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 22A; SOT227B; przykręcany; 700W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Moc rozpraszan...
IXYS
IXTN22N100L
od PLN 199,299*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 23A; SOT227B; przykręcany; 595W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN26N100P
od PLN 184,89*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 24A; SOT227B; przykręcany; 568W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN24N100
od PLN 141,82*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 27A; SOT227B; przykręcany; 690W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100P
od PLN 115,33*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 28A; SOT227B; przykręcany; 780W (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN32N100Q3
od PLN 231,70*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 30A; SOT227B; przykręcany; 800W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Moc rozprasza...
IXYS
IXTN30N100L
od PLN 276,41*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 36A; SOT227B; przykręcany; 694W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN36N100
od PLN 256,364*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 37A; SOT227B; przykręcany; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100P
od PLN 139,62*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN38N100P
od PLN 173,86*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 38A; SOT227B; przykręcany; 960W (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Moc rozpras...
IXYS
IXFN44N100Q3
od PLN 210,835*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 1kV; 44A; SOT227B; przykręcany; 830W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN52N100X
od PLN 167,30*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 100A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN110N20L2
od PLN 173,31*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 115A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 115A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N20P
od PLN 90,11*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 160A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 128ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,2mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN220N20X3
od PLN 107,55*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 220A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 220A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN230N20T
od PLN 126,07*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 200V; 300A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 172ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN300N20X3
od PLN 181,69*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 146A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 135ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 146A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,4mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN170N25X3
od PLN 116,09*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 168A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 168A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,9mΩ Moc rozp...
IXYS
IXFN180N25T
od PLN 70,74*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 240A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 165ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN240N25X3
od PLN 146,94*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 250V; 90A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 266ns Napięcie dren-źródło: 250V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN90N25L2
od PLN 153,81*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 110A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN140N30P
od PLN 97,31*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 130A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 130A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN160N30T
od PLN 92,65*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 192A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 192A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5mΩ Moc rozp...
IXYS
IXFN210N30P3
od PLN 143,87*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 210A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,6mΩ Moc rozpr...
IXYS
IXFN210N30X3
od PLN 142,21*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 80A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 485ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN80N30L2
od PLN 114,64*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 300V; 86A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN102N30P
od PLN 85,329*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 40V; 600A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 600A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN600N04T2
od PLN 116,37*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 40V; 660A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 60ns Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 660A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,85mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN660N04T4
od PLN 88,75*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 112A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 112A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN132N50P3
od PLN 113,03*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 46A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 0,6µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Moc rozpra...
IXYS
IXTN46N50L
od PLN 204,435*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 50A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N50P
od PLN 85,51*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 53A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 980ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN60N50L2
od PLN 153,61*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 60A; TO240AA; Idm: 240A; 590W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: TO240AA Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
VMO60-05F
od PLN 226,03*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 62A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Moc rozpras...
IXYS
IXTN62N50L
od PLN 245,21*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 63A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N50Q3
od PLN 159,32*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 68A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN94N50P2
od PLN 86,07*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 75A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50P
od PLN 128,79*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 500V; 82A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 82A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N50Q3
od PLN 193,19*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 55V; 550A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 550A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXTN550N055T2
od PLN 132,08*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN48N60P
od PLN 85,39*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 40A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 650ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN40N60C
od PLN 123,70*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 580ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN75N60C
od PLN 259,32*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 50A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN64N60P
od PLN 120,84*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN80N60P3
od PLN 88,66*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 66A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60Q3
od PLN 193,66*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 72A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 72A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN82N60P
od PLN 121,46*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 600V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN110N60P3
od PLN 112,99*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 108A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 220ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 108A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN120N65X2
od PLN 170,17*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 145A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 145A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN150N65X2
od PLN 176,386*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 170A; SOT227B; przykręcany (2 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 270ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN170N65X2
od PLN 161,85*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 76A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXTN102N65X2
od PLN 97,46*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 650V; 78A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 78A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN100N65X2
od PLN 108,17*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 70V; 340A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 340A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Moc rozprasz...
IXYS
IXFN340N07
od PLN 173,17*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 225A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 206ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 225A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Moc rozprasz...
IXYS
IXTN240N075L2
od PLN 186,47*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 75V; 480A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 480A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,9mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN520N075T2
od PLN 100,76*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 29A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN32N80P
od PLN 90,21*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 37A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 37A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80Q3
od PLN 204,29*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 39A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN44N80P
od PLN 105,44*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 44A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 74mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXKN45N80C
od PLN 192,52*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 49A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN62N80Q3
od PLN 194,45*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 800V; 53A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN60N80P
od PLN 153,412*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 110A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 205ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Moc rozpra...
IXYS
IXFN110N85X
od PLN 238,709*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 65A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN66N85X
od PLN 138,96*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 850V; 90A; SOT227B; przykręcany (3 ofert) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 850V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Moc rozpras...
IXYS
IXFN90N85X
od PLN 176,53*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 109A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 109A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Polaryzacja: unipolarny Montaż e...
IXYS
IXFN130N90SK
od PLN 628,66*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 33A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN40N90P
od PLN 127,20*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 43A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Moc rozpra...
IXYS
IXFN52N90P
od PLN 151,03*
za szt.
Moduł; pojedynczy tranzystor; 900V; 56A; SOT227B; przykręcany (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Moc rozpr...
IXYS
IXFN56N90P
od PLN 220,58*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.