 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 13A; 90W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 13A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 90W Rodzaj opakowania: rolka Cena jednostkowa: ... |
|
od PLN 4 031,104*
za 800 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Prąd kolektora: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 160W Rodzaj opakowania: rolka Cena jednostkowa:... |
|
od PLN 3 509,784*
za 800 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT x4; BiMOSFET™; 3kV; 22A; 150W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 22A Prąd kolektora w impulsie: 165A Czas załączania: 743ns Czas wyłączania: 1,... |
|
od PLN 407,09*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 282,58*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 105A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 105A Prąd kolektora w impulsie: 700A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 210,18*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 182,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 180A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 107ns Czas wyłączania: 5... |
|
od PLN 169,11*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1,2kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 295A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 119ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 152,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,2kV; 40A; 400W; SMPD (2 ofert) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 122ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 147,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 39... |
|
od PLN 140,84*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 127,76*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; D3PAK (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 224ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 87,25*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 230A Czas załączania: 190ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 86,26*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 33ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 82,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 82,30*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 92s Czas wyłączania: 350... |
|
od PLN 80,76*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 73,47*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 32A; 350W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 69,87*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 64,53*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13A Czas załączania: 310ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 62,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90S |
od PLN 48,12*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 150W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 46,49*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 46,42*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1200V; 40A; 500W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GR120S |
od PLN 44,36*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60SDQ2G |
od PLN 43,09*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1200V; 33A; 272W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 39ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GN120SG |
od PLN 42,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 42,37*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: 27... |
|
od PLN 42,33*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: 32... |
|
od PLN 40,28*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 40,03*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 46A; 379W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 46ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GN120SG |
od PLN 38,62*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 17A; 230W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 17A Prąd kolektora w impulsie: 88A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 36,27*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 16A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 90ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 36,04*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 4... |
|
od PLN 35,95*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 34,17*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,... |
|
od PLN 32,95*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120SD15 |
od PLN 32,58*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 118A Czas załączania: 59ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 32,45*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 22A; 195W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 22A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 19ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GN120SDQ1G |
od PLN 32,37*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60SD15 |
od PLN 32,00*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 63ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 31,40*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 134ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 30,65*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 72A; 540W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania: 8... |
|
od PLN 30,53*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,6kV; 25A; 300W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,6kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 283ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 29,87*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 36A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania: 7... |
|
od PLN 29,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120S |
od PLN 26,59*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 19ns Cz... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT20GN60SDQ2G |
od PLN 26,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 32A; 300W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 32A Prąd kolektora w impulsie: 230A Czas załączania: 239ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 25,87*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 30A; 300W; TO268 (2 ofert) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 25,17*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 50A; 600W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 75ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 24,72*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 20A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 24,72*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 23,57*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 278W; TO263-2 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-2 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 60ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 19,21*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263-2 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 56ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 18,57*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 60A; 380W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 17,78*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 61ns Czas wyłączania: 7... |
|
od PLN 15,03*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 20A; 180W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 66ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 14,72*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 9A Czas załączania: 110ns Czas wyłączania: 35... |
|
od PLN 14,47*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 48A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 9... |
|
od PLN 12,71*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 202ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 12,34*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania: 238... |
|
od PLN 12,12*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT (1 Oferta) Producent: ONSEMI Typ tranzystora: IGBT Cena jednostkowa: Nie |
|
od PLN 11,88*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 24A; 250W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 96A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: 4... |
|
od PLN 11,32*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT (1 Oferta) Producent: ONSEMI Typ tranzystora: IGBT Cena jednostkowa: Nie |
|
od PLN 10,17*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 10,03*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT (1 Oferta) Producent: ONSEMI Typ tranzystora: IGBT Cena jednostkowa: Nie |
|
od PLN 10,02*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGB40H65FB |
od PLN 9,69*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT (1 Oferta) Producent: ONSEMI Typ tranzystora: IGBT Cena jednostkowa: Nie |
|
od PLN 9,49*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 400V; 20A; 200W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 400V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT Zastosowanie: branża motoryzacyjna;s... |
ST Microelectronics STGB20NB41LZT4 |
od PLN 9,24*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 34ns C... |
|
od PLN 8,499*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 8,436*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGB30H60DLLFBAG |
od PLN 8,40*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 51ns Czas wyłączania: 1... |
|
od PLN 8,36*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 37ns C... |
|
od PLN 8,208*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 56ns C... |
|
od PLN 8,161*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 62,5W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 40ns Cz... |
|
od PLN 8,05*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK (2 ofert) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: H2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 90A Typ tranzystora: IGBT Moc r... |
ST Microelectronics STGH30H65DFB-2AG |
od PLN 7,692*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 23A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 28ns Cz... |
|
od PLN 7,54*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 260W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 120A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGB30H60DFB |
od PLN 7,54*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 40A; 283W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGB40V60F |
od PLN 7,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 120A Typ tranzystora: IGBT Moc ... |
ST Microelectronics STGB30M65DF2 |
od PLN 7,31*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 39,5A; 94W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 39,5A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 29ns... |
|
od PLN 7,184*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 36ns Czas wyłączania: 10... |
|
od PLN 6,99*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO252 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 48A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania: 238... |
|
od PLN 6,77*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd kolektora w impulsie: 120A Czas załączania: 52ns C... |
|
od PLN 6,751*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT (1 Oferta) Producent: ONSEMI Typ tranzystora: IGBT Cena jednostkowa: Nie |
|
od PLN 6,70*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK (3 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 187W Rodzaj opak... |
|
od PLN 6,571*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 63A; 135W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 63A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 50ns C... |
|
od PLN 6,234*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO220NFM Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 13A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 65ns Cz... |
ROHM Semiconductor RGT50TM65DGC9 |
od PLN 6,23*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 300V; 42A; 223W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 300V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania: 11... |
|
od PLN 6,22*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT (1 Oferta) Producent: ONSEMI Typ tranzystora: IGBT Cena jednostkowa: Nie |
|
od PLN 6,11*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 170W Rodzaj opak... |
|
od PLN 6,09*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 97W; TO263 (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 65ns Czas ... |
ROHM Semiconductor RGT50NL65DGTL |
od PLN 6,07*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK (2 ofert) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 28A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 32ns Cz... |
|
od PLN 6,02*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 650V; 25A; 97W; LPDS (1 Oferta) Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: LPDS Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 65ns Czas w... |
ROHM Semiconductor RGT50NS65DGTL |
od PLN 6,02*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT Moc r... |
ST Microelectronics STGB20V60DF |
od PLN 5,95*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT (1 Oferta) Producent: ONSEMI Typ tranzystora: IGBT Cena jednostkowa: Nie |
|
od PLN 5,91*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 390V; 20A; 150W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 390V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 40A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 150W Rodzaj opakowa... |
ST Microelectronics STGB20N40LZ |
od PLN 5,91*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 600V; 20A; 167W; D2PAK (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT Moc r... |
ST Microelectronics STGB20H60DF |
od PLN 5,87*
za szt. |
|
|
|
ST Microelectronics STGB10NB40LZT4 |
od PLN 5,64*
za szt. |
|
|
