 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 230A Czas załączania: 190ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 86,26*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; D3PAK (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 224ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 87,25*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; D3PAK (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 36A Czas załączania: 104ns Czas wyłączania: 7... |
|
od PLN 29,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13A Czas załączania: 310ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 62,14*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 42A; 500W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 3kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 652ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 182,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 120A; 625W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 120A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 3... |
|
od PLN 127,76*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 180A; 1kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 180A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 107ns Czas wyłączania: 5... |
|
od PLN 169,11*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 68A; 400W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 440A Czas załączania: 92s Czas wyłączania: 350... |
|
od PLN 80,76*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 140ns Czas wyłączania: 39... |
|
od PLN 140,84*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; BiMOSFET™; 650V; 295A; 1,2kW; SMPD (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 295A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA Czas załączania: 119ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 152,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 22A; 195W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 22A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas załączania: 19ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT15GN120SDQ1G |
od PLN 32,37*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 1,2kV; 46A; 379W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 105A Czas załączania: 46ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GN120SG |
od PLN 38,62*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 24A; 136W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 19ns Cz... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT20GN60SDQ2G |
od PLN 26,20*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Field Stop; 600V; 93A; 536W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 93A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 95ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT75GN60SDQ2G |
od PLN 43,09*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 12A; 100W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 60A Czas załączania: 202ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 12,34*
za szt. |
|
|
