Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P THT

  Tranzystory z kanałem P THT (200 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -68A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 56...
IXYS
IXTH68P20T
od PLN 46,66*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -140A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 5...
IXYS
IXTH140P10T
od PLN 46,71*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -32A; 890W; 480ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX32P60P
od PLN 57,18*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -40A; 890W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX40P50P
od PLN 57,31*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -40A; 890W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890...
IXYS
IXTK40P50P
od PLN 57,85*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -170A; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 176ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTX170P10P
od PLN 58,26*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -110A; 270W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR140P10T
od PLN 58,31*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -170A; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 176ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890...
IXYS
IXTK170P10P
od PLN 58,92*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -90A; 890W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890W...
IXYS
IXTK90P20P
od PLN 59,23*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -90A; 890W; 315ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 8...
IXYS
IXTX90P20P
od PLN 60,07*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -53A; 312W; 315ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 315ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTR90P20P
od PLN 62,72*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -18A; 310W; 480ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 480ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,385Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozprasza...
IXYS
IXTR32P60P
od PLN 62,82*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -22A; 312W; 477ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 477ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
IXYS
IXTR40P50P
od PLN 62,97*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -750mA; Idm: -8A; 360mW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO39 Napięcie dren-źródło: -60V Prąd drenu: -750mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Pola...
Microchip Technology
VP2206N2
od PLN 67,70*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -120A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXTK120P20T
od PLN 84,77*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.