Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P THT

  Tranzystory z kanałem P THT (200 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTQ44P15T
od PLN 15,95*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...
IXYS
IXTQ10P50P
od PLN 16,54*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W ...
IXYS
IXTQ52P10P
od PLN 16,70*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTQ26P20P
od PLN 16,70*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Typ tranzystora: P-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj kanału: wzbogacany
Bridgelux
BXC60R026TH
od PLN 16,75*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTQ36P15P
od PLN 16,96*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: NTE Electronics Mont...
NTE Electronics
NTE2919
od PLN 17,57*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 29...
IXYS
IXTH44P15T
od PLN 17,81*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTP140P05T
od PLN 17,99*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTH120P065T
od PLN 17,99*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; 120ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 30...
IXYS
IXTH52P10P
od PLN 18,94*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -96A; 298W; 55ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 55ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTH96P085T
od PLN 19,46*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298...
IXYS
IXTH76P10T
od PLN 19,80*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; 414ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTH10P50P
od PLN 20,35*
za szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -32A; 300W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP32P20T
od PLN 21,42*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.