Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P THT ---

  Tranzystory z kanałem P THT (64 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☑
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Oferty ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -170A; 890W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 176ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 890...
1
IXYS
IXTK170P10P
od PLN 59,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; 120ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 30...
1
IXYS
IXTP52P10P
od PLN 14,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; 120ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 30...
1
IXYS
IXTH52P10P
od PLN 19,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W ...
1
IXYS
IXTQ52P10P
od PLN 16,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -57A; 190W; 144ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -57A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
1
IXYS
IXTR90P10P
od PLN 22,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -90A; 462W; 144ns (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 46...
2
IXYS
IXTH90P10P
od PLN 29,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -22A; 150W; 150ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszan...
1
IXYS
IXTR36P15P
od PLN 25,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; 228ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
1
IXYS
IXTH36P15P
od PLN 23,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; 228ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
1
IXYS
IXTP36P15P
od PLN 14,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
1
IXYS
IXTQ36P15P
od PLN 17,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; 240ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
1
IXYS
IXTP26P20P
od PLN 15,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; 240ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
1
IXYS
IXTH26P20P
od PLN 12,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
1
IXYS
IXTQ26P20P
od PLN 16,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -30A; 190W; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 93mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana...
1
IXYS
IXTR48P20P
od PLN 36,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 46...
1
IXYS
IXTH48P20P
od PLN 29,32*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   Wszystkie    strona: 1   2   3   4   5   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.