Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P SMD ---

  Tranzystory z kanałem P SMD (33 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTA18P10T
od PLN 5,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -15A; 150W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150...
IXYS
IXTA15P15T
od PLN 5,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -32A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTA32P05T
od PLN 5,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -24A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 40ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTA24P085T
od PLN 5,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -28A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 31ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTA28P065T
od PLN 6,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -10A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W...
IXYS
IXTY10P15T
od PLN 7,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -32A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTY32P05T
od PLN 7,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTY18P10T
od PLN 8,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
IXYS
IXTY26P10T
od PLN 8,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -15A; 150W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150...
IXYS
IXTY15P15T
od PLN 8,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -48A; 150W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W P...
IXYS
IXTY48P05T
od PLN 8,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
IXYS
IXTA26P10T
od PLN 9,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -48A; 150W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W P...
IXYS
IXTA48P05T
od PLN 9,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTA120P065T
od PLN 14,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -96A; 298W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 55ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W P...
IXYS
IXTA96P085T
od PLN 14,35*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   Wszystkie    strona: 1   2   3   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.