Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P SMD ---

  Tranzystory z kanałem P SMD (33 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTA52P10P
od PLN 16,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -90A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT90P10P
od PLN 32,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA36P15P
od PLN 15,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA26P20P
od PLN 16,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT48P20P
od PLN 33,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA10P50P
od PLN 15,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT20P50P
od PLN 33,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -16A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT16P60P
od PLN 39,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -140A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 568...
IXYS
IXTT140P10T
od PLN 53,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTY18P10T
od PLN 8,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTA18P10T
od PLN 5,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
IXYS
IXTA26P10T
od PLN 9,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
IXYS
IXTY26P10T
od PLN 8,16*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -76A; 298W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -76A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTA76P10T
od PLN 14,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -10A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W...
IXYS
IXTY10P15T
od PLN 7,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -15A; 150W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150...
IXYS
IXTA15P15T
od PLN 5,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -15A; 150W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150...
IXYS
IXTY15P15T
od PLN 8,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -44A; 298W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W...
IXYS
IXTA44P15T
od PLN 14,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -32A; 300W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 190ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA32P20T
od PLN 20,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -200V; -68A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 568W...
IXYS
IXTT68P20T
od PLN 51,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -140A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W P...
IXYS
IXTA140P05T
od PLN 17,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -32A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTY32P05T
od PLN 7,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -32A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 26ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTA32P05T
od PLN 5,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -48A; 150W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W P...
IXYS
IXTY48P05T
od PLN 8,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -50V; -48A; 150W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: -50V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W P...
IXYS
IXTA48P05T
od PLN 9,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -120A; 298W; 53ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 53ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W ...
IXYS
IXTA120P065T
od PLN 14,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -65V; -28A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 31ns Napięcie dren-źródło: -65V Prąd drenu: -28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTA28P065T
od PLN 6,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -24A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 40ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Po...
IXYS
IXTA24P085T
od PLN 5,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -85V; -96A; 298W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 55ns Napięcie dren-źródło: -85V Prąd drenu: -96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 298W P...
IXYS
IXTA96P085T
od PLN 14,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTT50P10
od PLN 28,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTT24P20
od PLN 29,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 180W ...
IXYS
IXTT8P50
od PLN 23,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTT10P60
od PLN 32,23*
za szt.
 
 szt.
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   Wszystkie   
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.