Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem P SMD ---

  Tranzystory z kanałem P SMD (32 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -52A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W...
IXYS
IXTA52P10P
od PLN 16,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -100V; -90A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 144ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT90P10P
od PLN 33,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -150V; -36A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 228ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA36P15P
od PLN 15,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -26A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 240ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300...
IXYS
IXTA26P20P
od PLN 16,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -200V; -48A; 462W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: -200V Prąd drenu: -48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 462W...
IXYS
IXTT48P20P
od PLN 33,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -10A; 300W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 414ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 300W P...
IXYS
IXTA10P50P
od PLN 15,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -500V; -20A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 406ns Napięcie dren-źródło: -500V Prąd drenu: -20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT20P50P
od PLN 33,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; PolarP™; unipolarny; -600V; -16A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 440ns Napięcie dren-źródło: -600V Prąd drenu: -16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 720mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 460...
IXYS
IXTT16P60P
od PLN 39,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -140A; 568W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 130ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 568...
IXYS
IXTT140P10T
od PLN 53,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTY18P10T
od PLN 8,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -18A; 83W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 62ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W ...
IXYS
IXTA18P10T
od PLN 5,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
IXYS
IXTA26P10T
od PLN 9,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -100V; -26A; 150W; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: -100V Prąd drenu: -26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150W ...
IXYS
IXTY26P10T
od PLN 8,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -10A; 83W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 83W...
IXYS
IXTY10P15T
od PLN 7,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolarny; -150V; -15A; 150W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 116ns Napięcie dren-źródło: -150V Prąd drenu: -15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: P-MOSFET Moc rozpraszana: 150...
IXYS
IXTA15P15T
od PLN 5,61*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   Wszystkie    strona: 1   2   3   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.