Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 20A; 780W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK20N120P
od PLN 79,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 114mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 178W Polaryzacja: unipol...
onsemi
NTHL080N120SC1A
od PLN 29,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12057B2FLLG
od PLN 154,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12057B2LLG
od PLN 148,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12057LFLLG
od PLN 165,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 24A; 520W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja...
IXYS
IXFL32N120P
od PLN 182,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 26A; 960W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX26N120P
od PLN 103,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 26A; 960W; TO264 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK26N120P
od PLN 107,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 27A; 1135W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT26F120B2
od PLN 110,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3,5A; Idm: 12A; 130W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polary...
ST Microelectronics
STW8N120K5
od PLN 18,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3,5A; Idm: 14A; 135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1204R7BFLLG
od PLN 42,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 30A; Idm: 120A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12040L2FLLG
od PLN 289,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramk...
IXYS
IXFP3N120
od PLN 19,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W...
IXYS
IXTP3N120
od PLN 20,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3A; 200W; TO247-3; 700ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 700ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowan...
IXYS
IXTH3N120
od PLN 19,59*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.