Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M35065Q
brak danych
od PLN 55,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 189W Pola...
Infineon
IMZA65R027M1HXKSA1
brak danych
od PLN 48,731*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065Q
brak danych
od PLN 61,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065B
brak danych
od PLN 50,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065Q
brak danych
od PLN 50,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065B
brak danych
od PLN 59,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M28065Q
brak danych
od PLN 62,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT3030ALHRC11
brak danych
od PLN 130,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3030ARC14
brak danych
od PLN 118,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT3030ALGC11
brak danych
od PLN 113,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polaryz...
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
brak danych
od PLN 103,659*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 416W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0015065K
brak danych
od PLN 133,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 108mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC090SMA070B
brak danych
od PLN 24,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 143W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC060SMA070B
brak danych
od PLN 36,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 143W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC060SMA070B4
brak danych
od PLN 37,47*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.