Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R350MT12D
od PLN 14,78*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 28A; 78W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC360SMA120B
od PLN 23,94*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 416mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37,5W ...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
od PLN 15,047*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 416mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37,5W Po...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
od PLN 17,367*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; 463W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0025120D
od PLN 308,32*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; Idm: 240A; 542W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 542W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R20MT12K
od PLN 121,86*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 94A; Idm: 200A; 750W (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 94A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 750W Polar...
WeEn Semiconductors
WNSC2M20120R6Q
od PLN 74,44*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 175W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 175W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT17D
od PLN 38,87*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3,5A; Idm: 6A; 69W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M1K170B
od PLN 13,67*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3,7A; Idm: 9,2A; 35W (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO3PFM Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT2H12NZGC11
od PLN 15,61*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3A; Idm: 12A; 69W (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,69Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polaryzacja: uni...
Bridgelux
BXW3M1K7H
od PLN 9,10*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4,4A; Idm: 11A; 60W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO170E0750
od PLN 18,49*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4,9A; 69W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 20ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
Wolfspeed
C2M1000170D
od PLN 26,08*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17D
od PLN 126,37*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17K
od PLN 109,97*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.