Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 5,5A; Idm: 20A; 50W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 525mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryza...
Wolfspeed
C3M0350120D
od PLN 14,76*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 318W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 318W Polary...
ST Microelectronics
SCT50N120
od PLN 115,914*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 357W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120G0040
od PLN 86,73*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12D
od PLN 54,39*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12K
od PLN 59,13*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 52A; Idm: 100A; 405W (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 405W Polar...
WeEn Semiconductors
WNSC2M40120R6Q
od PLN 42,39*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; 262W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SCT3040KLGC11
od PLN 157,13*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 137A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polary...
ROHM Semiconductor
SCT3040KRC14
od PLN 124,44*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 137A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SCT3040KLHRC11
od PLN 141,24*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 160A; 320,5W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320,5W Pol...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0040120K-1
od PLN 46,95*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; 330W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0040120D
od PLN 151,60*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M032120Y
od PLN 44,92*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M035120YP
od PLN 44,88*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M25120Q
od PLN 66,53*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 240A; 271,7W (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 271,7W Polaryzacja: ...
Bridgelux
BXW60M1K2J
od PLN 50,91*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.