Tranzystory z kanałem N THT kup korzystnie w Mercateo (strona 62/270)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Znak jakości

marginDiff

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 318W (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 318W Polary...

ST Microelectronics

SCT50N120

brak danych

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

od PLN 115,984*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 357W (1 Oferta)

Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: u...

Littelfuse

LSIC1MO120G0040

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 86,25*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...

Genesic Semiconductor

G3R40MT12D

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 54,20*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...

Genesic Semiconductor

G3R40MT12K

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 59,23*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 52A; Idm: 100A; 405W (1 Oferta)

Producent: WeEn Semiconductors Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 405W Polar...

WeEn Semiconductors

WNSC2M40120R6Q

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 42,33*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; 262W; TO247 (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...

ROHM Semiconductor

SCT3040KLGC11

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 156,45*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 137A; 262W (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polary...

ROHM Semiconductor

SCT3040KRC14

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 123,88*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 137A; 262W (1 Oferta)

Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...

ROHM Semiconductor

SCT3040KLHRC11

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 141,49*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 160A; 320,5W (1 Oferta)

Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320,5W Pol...

SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0040120K-1

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 46,22*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; 330W; TO247-3 (2 ofert)

Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...

Wolfspeed

C2M0040120D

brak danych

berechnete Marge kleiner
berechnete Marge kleiner

od PLN 147,86*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta)

Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...

BASiC SEMICONDUCTOR

B2M032120Y

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 43,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta)

Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...

BASiC SEMICONDUCTOR

B2M035120YP

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 43,58*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta)

Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...

LUGUANG ELECTRONIC

LGE3M25120Q

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 64,71*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 240A; 271,7W (1 Oferta)

Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 271,7W Polaryzacja: ...

Bridgelux

BXW60M1K2J

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 50,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 200A; 400W (1 Oferta)

Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...

Genesic Semiconductor

G3R30MT12K

brak danych

berechnete Marge kleiner

od PLN 79,92*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 .. 270 Dalej

Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)