Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 29A; Idm: 82A; 231W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 231W Pola...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120D
od PLN 35,86*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 30A; 113,6W; TO247-4 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Czas gotowości: 18ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C3M0075120K
od PLN 46,96*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 31A; 165W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SCT3080KLGC11
od PLN 55,76*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 31A; Idm: 70A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polar...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M80120Q
od PLN 32,82*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 31A; Idm: 77A; 165W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polary...
ROHM Semiconductor
SCT3080KLHRC11
od PLN 62,22*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 32A; Idm: 81A; 270W (1 Oferta) 
Producent: WeEn Semiconductors Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Pola...
WeEn Semiconductors
WNSCM80120R6Q
od PLN 31,60*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polar...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120Z
od PLN 27,43*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polar...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120H
od PLN 28,32*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polary...
ST Microelectronics
SCT30N120
od PLN 73,894*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 34A; Idm: 90A; 270W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polary...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
od PLN 90,88*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 36A; 208W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 32ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0080120D
od PLN 88,33*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 36A; Idm: 130A; 114W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Polar...
Infineon
IMW120R045M1XKSA1
od PLN 46,217*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 117A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 69mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40120Q
od PLN 54,09*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120K
od PLN 146,88*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120D
od PLN 145,81*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.