Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 037 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☑
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Oferty ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W Polaryz...
1
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065B
od PLN 57,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W Polaryz...
1
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M28065Q
od PLN 60,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryzac...
1
ROHM Semiconductor
SCT3030ALHRC11
od PLN 129,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryz...
2
ROHM Semiconductor
SCT3030ARC14
od PLN 118,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryzac...
1
ROHM Semiconductor
SCT3030ALGC11
od PLN 112,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: HIP247™ Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Polaryz...
2
ST Microelectronics
SCTW90N65G2V
od PLN 103,929*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 96A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 416W Polaryzacj...
1
Wolfspeed
C3M0015065K
od PLN 129,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 108mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Pola...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC090SMA070B
od PLN 23,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 143W Pola...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC060SMA070B
od PLN 35,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 143W Pola...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC060SMA070B4
od PLN 36,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA070B4
od PLN 67,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA070B
od PLN 55,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pola...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070B
od PLN 115,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pola...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070B4
od PLN 134,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 24ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
2
Wolfspeed
C3M0120090D
od PLN 31,31*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.