Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1kV; 13,5A; 83W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Czas gotowości: 16ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
Wolfspeed
C3M0120100K
brak danych
od PLN 31,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1kV; 35A; 113,5W; TO247-4 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Czas gotowości: 14ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozprasz...
Wolfspeed
C3M0065100K
brak danych
od PLN 47,956*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 381W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA330B4
brak danych
od PLN 471,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 7A; Idm: 27A; 131W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 131W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC400SMA330B4
brak danych
od PLN 102,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 139mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polary...
Infineon
IMW65R107M1HXKSA1
brak danych
od PLN 21,609*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 139mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Pola...
Infineon
IMZA65R107M1HXKSA1
brak danych
od PLN 23,072*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polaryz...
Infineon
IMW65R072M1HXKSA1
brak danych
od PLN 22,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polar...
Infineon
IMZA65R072M1HXKSA1
brak danych
od PLN 28,374*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 21A; Idm: 52A; 103W (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 103W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SCT3120ALGC11
brak danych
od PLN 28,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polary...
Infineon
IMW65R048M1HXKSA1
brak danych
od PLN 22,958*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pola...
Infineon
IMZA65R048M1HXKSA1
brak danych
od PLN 29,491*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Polaryzacja: unipola...
onsemi
NTHL075N065SC1
brak danych
od PLN 24,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065K
brak danych
od PLN 36,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065D
brak danych
od PLN 37,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 30A; Idm: 75A; 134W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,104Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Polaryz...
ROHM Semiconductor
SCT3080ALGC11
brak danych
od PLN 39,65*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.